溅射（Sputtering）

—

在所有的 PVD 工艺中，真空室中待涂层的零件首先加热，然后通过轰击用氩离子执行离子蚀刻，以营造纯净的金属表面，无任何原子污染——最佳涂层结合力的必要条件。 之后，很高的负电压被施加到含有涂层材料的溅射源上。所形成的电气放电可形成正氩离子，并将其向前加速，使得涂层材料雾化。蒸发并原子化后的金属处于气相，然后与含有硬质涂层非金属成分的气体发生反应。最终结果便是紧凑的薄涂层以期望的结构与成分沉积。

01

电弧蒸发（Arc）

—

在此工艺中，用一个直径为微米至仅有零点几微米的电弧向在固体的金属涂层材料发射，使其蒸发。使用的高电流和高功率密度几乎可以完全电离蒸发的材料，并且由此形成高能等离子体。该金属离子与被引入室中的反应性气体结合，以高能量撞击目标工具或零部件，并沉积为高度粘附的薄涂层。

02

等离子辅助化学气相沉积PACVD

—

通过高频 PACVD 工艺生产无金属的碳涂层。该工艺的设置类似于用于溅射的工艺，通常结合 CVD 工艺使用。在 PACVD 中，含有涂层的气体被引入到真空室，由交流电压供应的放电点燃。这可产生自由碳和氢原子（离子和游离基），并在工具和零部件上形成致密的涂层。使用不同的供应电压可影响涂层的属性。

03